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Qorvo®同時榮獲中興通訊頒發的全球供應商獎之兩項殊榮

2021-01-28 15:10 次閲讀

中國 北京,2021年1月28日——移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo®, Inc.(納斯達克代碼:QRVO)今日宣佈,榮獲中興通訊公司頒發的兩項 2020 年傑出客户支持獎---最佳綜合績效獎和傑出客户管理獎。中興通訊將最佳綜合績效獎和傑出客户管理獎這兩項殊榮同時授予Qorvo,以表彰 Qorvo 在 2020 年為中興通訊的 5G 基站和網絡部署提供的優秀 5G 產品和卓越的客户支持。

中興通訊的全球供應商獎旨在表彰為中興通訊客户提供極具創新性和可靠性的電信技術的供應商。Qorvo 全面的高性能射頻解決方案組合為中興通訊和其他領先公司提供了有力支持,包括 BAW 濾波器和 GaN 高功率放大器、小信號放大器和開關。Qorvo 的 5G 產品組合能夠提供基站製造商和網絡運營商所需的效率、可靠性和尺寸,推動實現提高容量和覆蓋率的目標。通過這些 5G 解決方案和 Qorvo 客户管理支持團隊的專業技術知識,幫助中興通訊克服了技術挑戰,並快速部署全球最大的 5G 獨立 (SA) 核心網絡。

Qorvo 基礎設施和國防產品部全球銷售副總裁 Chris Lepiane 表示:“我們的團隊非常自豪能夠獲得像中興通訊這樣的全球行業領導者的認可。這些獎項是對我們全球團隊工作的認可,也表明即便面對重重困難,Qorvo 依然能夠提供創新的 5G 解決方案和出色的客户支持。”

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MJD6039 NPN達林頓雙極功率晶體管

MJD44E3 10 A 80 V NPN達林頓雙極功率晶體管

功率晶體管設計用於通用電源和開關輸出或驅動級,適用於開關穩壓器,轉換器和功率放大器等應用。 特性 鉛用於塑料套管中的表面貼裝應用(無後綴) 塑料套管中的直引線版本(“-1 “後綴” 16 mm膠帶和表面貼裝卷軸(“T4”後綴)的鉛成型版本 與流行的D44E3設備電氣相似 高DC增益 - 1000 Min @ 5.0 Adc 低星期六電壓 - 1.5 V @ 5.0 Adc 與現有自動拾取器兼容放置設備 汽車和其他應用的NJV前綴需要獨特的站點和控制變更要求; AEC-Q101合格且PPAP能力 這些是無鉛包 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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MJD44E3 10 A 80 V NPN達林頓雙極功率晶體管

MJD117 2.0 A 100 V PNP達林頓雙極功率晶體管

頓雙極功率晶體管設計用於通用電源和開關,如開關穩壓器,轉換器和功率放大器等應用中的輸出或驅動級。 MJD112(NPN)和MJD117(PNP)是互補設備。 特性 塑料套管中表面貼裝應用的引腳(無後綴) 塑料套管中的直鉛版(“1”後綴) 16毫米卷帶上的鉛成型版(“T4”後綴) TIP110-TIP117系列的表面貼裝更換 內置底座的整體結構 - 發射極分流電阻器 高直流電流增益h FE = 2500(Typ)@我 C = 2.0 Adc 互補對簡化設計 汽車和其他應用的NJV前綴需要獨特的站點和控制變更要求; AEC-Q101合格且PPAP能力 PbFree軟件包可用 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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MJD117 2.0 A 100 V PNP達林頓雙極功率晶體管

KSD560 NPN外延硅達林頓晶體管

特性 低速開關工業用 KSB601的補充器件 低頻率功率放大器 應用 此產品是一般用途,適用於許多不同的應用。 電路圖、引腳圖和封裝圖
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KSD560 NPN外延硅達林頓晶體管

MJD45H11 8 A 80 V PNP雙極功率晶體管

功率晶體管設計用於通用電源和開關輸出或驅動級,適用於開關穩壓器,轉換器和功率放大器等應用。 特性 鉛用於塑料套管中的表面貼裝應用(無後綴) 塑料套管中的直引線版本(“-1 “後綴” 16 mm膠帶和表面貼裝卷軸(“T4”後綴)的鉛成型版本 與流行的D44H / D45H系列電氣相似 低集電極發射極飽和電壓V CE(sat) = 1.0 Volt Max @ 8.0安培 快速切換速度 互補對簡化設計 汽車及其他的NJV前綴需要獨特站點和控制變更要求的應用程序; AEC-Q101合格且PPAP能力 這些器件無鉛且符合RoHS標準 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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MJD45H11 8 A 80 V PNP雙極功率晶體管

NLHV4157N 負電壓SPDT開關

57N是採用硅柵CMOS技術製造的先進CMOS模擬開關。該器件通過模擬和數字負電壓,可能在整個電源範圍內變化(從VEE到GND)。 特性 優勢 工作電壓範圍 VEE = -12 V至-4 V 開關信號電壓範圍 VIS = VEE至GND 正控制信號電壓 VIN = 0至3.3 V 低導通電阻 RON≤5Ω@ VEE = -10 V 閂鎖性能 超過200毫安 小包裝 SC88中提供6引腳封裝 這些器件無鉛,無鹵素/無BFR且符合RoHS標準 應用 終端產品 GaN晶體管功率放大器 手機塔 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NLHV4157N 負電壓SPDT開關

AXM0F243 超低功耗窄帶Sub GHz(27 - 1050 MHz)ARM®Cortex®-M0 +無線微控制器

43是用於真正單芯片無線應用的片上系統(Soc)。 SoC包含經現場驗證的窄帶 AX5043 RF收發器內核和高性能ARM®Cortex®-M0 +微控制器(MCU)內核。 AX5043內核功能非常強大,可通過軟件編程。憑藉最廣泛的可用調製方案和100 bps至125 kbps的數據速率,幾乎可以實現任何Sub GHz協議(專有或基於標準)。 無線電核心的軟件可編程性也使其成為可能。可以為加載了不同軟件的產品共享通用硬件設計,使客户更容易管理多個SKU。使用該器件實現多協議解決方案也可以實現強大的網關實現。 集成頻率合成器可以生成27 MHz至1050 MHz的任何載波頻率。對於低於~400 MHz的頻率,集成VCO使用外部電感,但高於~400 MHz時,可以使用集成電感。 AX5043接收器非常強大,可以實現低至以下的靈敏度 - 137 dBm,同時消耗不到10 mA的電流。對於需要天線分集的應用,包括集成分集控制器,可以通過GPIO引腳自動控制外部天線開關。接收器還具有喚醒功能,通過允許MCU在無線電事件之間儘可能長時間地休眠來進一步降低功耗。 AX5043發射器包括一個差分功率放大器,可產生高達16 dBm或單端選項,最高可達13 dBm。 高性能ARM®Cortex®-M...
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AXM0F243 超低功耗窄帶Sub GHz(27  -  1050 MHz)ARM®Cortex®-M0 +無線微控制器

LA4814JA 音頻功率放大器 AB類 雙通道 0.35 W

JA內置功率放大器電路,具有低電壓(2.7V及以上)工作電壓,並具有待機功能,可減少電流消耗。它是一種功率放大器IC,適用於電池驅動的便攜式設備和其他此類產品中使用的揚聲器驅動器。 特性 片上2聲道功率放大器>輸出功率1 = 350mW典型值。 (VCC = 5.0V,RL =4Ω,THD = 10%)輸出功率2 =典型值150mW。 (VCC = 3.6V,RL =4Ω,THD = 10%) 通過更改啓用單聲道BTL輸出系統外部連接組件輸出功率3 = 700mW典型值。 (VCC = 5.0V,RL =8Ω,THD = 10%)輸出功率4 = 320mW(典型值)。 (VCC = 3.6V,RL =8Ω,THD = 10%) 可以進行低壓操作> VCC = 2.7V及以上 待機功能待機時的電流消耗=0.1μA(典型值)。 (VCC = 5V) 電壓增益設置可能電壓增益= 3至20dB 第二個放大器停止控制功能降低啓動時的爆音(BTL模式) 應用 迷你收錄機/錄音機,便攜式收音機,收發器和其他便攜式音頻設備 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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LA4814JA 音頻功率放大器 AB類 雙通道 0.35 W

LA4815VH 音頻功率放大器 AB類 1通道 1.8 W

VH採用1通道功率放大器,具有寬工作電源電壓範圍,內置於表面貼裝封裝中。該IC還具有靜音功能,僅需少量外部元件,因此適用於低成本的設計。還有一個MFP8封裝類型,它包含相同的芯片(LA4815M)。 特性 內置靜音功能 增益可在26到40 dB之間選擇 寬電源電壓範圍(4.0至16 V) 內置1聲道功率放大器輸出功率1 = 1.84W(典型值)。 (VCC = 12V,RL =8Ω,THD = 10%)輸出功率2 = 1.55W(典型值)。 (VCC = 9V,RL =4Ω,THD = 10%)輸出功率3 = 0.36W(典型值)。 (VCC = 6V,RL =8Ω,THD = 10%)輸出功率4 = 0.23W(典型值)。 (VCC = 5V,RL =8Ω,THD = 10%) 可選電壓增益:2種類型 26dB / 40dB 只有少數幾個外部組件 4個組件/總計 應用 對講機,門電話,收發器,收音機,玩具,帶語音指導的家用電器等。 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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LA4815VH 音頻功率放大器 AB類 1通道 1.8 W

NCP700B LDO穩壓器 200 mA 超低壓差 超高PSRR 超低噪聲

聲敏感的RF應用,如手機和精密儀器中的功率放大器,需要非常乾淨的電源。 NCP700B是一款200 mA低壓差(LDO)線性穩壓器,為工程師提供非常穩定,精確的電壓,具有超低噪聲和極高的電源抑制比(PSRR),適用於RF應用。為了優化電池供電的便攜式應用的性能,NCP700B採用先進的BiCMOS工藝,將雙極元件的低噪聲和卓越動態性能的優勢與CMOS提供的滿載時的極低接地電流消耗相結合。 此外,為了在節省空間的應用中提供小尺寸,NCP700B採用小型,低值電容器穩定工作,採用1.5x1.5mm非常小的WDFN6和TSOP-5封裝。 特性 優勢 工作輸入電壓:2.5V至5.5V 非常適合電池供電的應用 高紋波抑制比:典型值。 82dB @ 1kHz 有效裝配電源線噪聲 超低輸出噪聲:典型值。從10Hz到100kHz的10μV 非常適合噪聲敏感的應用 輸出電容低至1uF穩定 小溶液尺寸 主動排放 快速關閉 輸出電壓選項:1.8V,2.8V,3.0V,3.3V 低睡眠模式電流:最大值1μA 電流限制保護 熱關機保護 這些是無鉛設備 輸出電流限制:最小值。 200mA ...
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NCP700B LDO穩壓器 200 mA 超低壓差 超高PSRR 超低噪聲

NCP700C LDO穩壓器 200 mA 超低壓降 高PSRR 超低噪聲

聲敏感的RF應用,如手機和精密儀器中的功率放大器,需要非常乾淨的電源。 NCP700C是一款200 mA低壓差(LDO)線性穩壓器,為工程師提供非常穩定,精確的電壓,具有超低噪聲和極高的電源抑制比(PSRR),適用於RF應用。為了優化電池供電的便攜式應用的性能,NCP700C採用先進的BiCMOS工藝,將雙極元件的低噪聲和卓越動態性能的優勢與CMOS提供的滿載時的極低接地電流消耗相結合。 此外,為了在節省空間的應用中提供小尺寸,NCP700C可以穩定地使用小型,低值電容器,並且採用非常小的WDFN6 1.5x1.5mm封裝。 特性 優勢 出色的線路和負載調節 輸入電壓和輸出電流條件下的輸出電壓精度非常好 超低輸出噪音:典型值。從10Hz到100kHz的10μV 非常適合噪聲敏感的應用 高PSRR(典型值為75 dB @ 1 kHz) 高PSRR(典型值75 dB @ 1 kHz) 陶瓷輸出電容穩定低至1μF 小溶液尺寸 極低的接地電流(典型值為70μA@無負載) 延長電池壽命 低禁用模式電流(最大1μA) 延長電池壽命 輸出電壓選項:4.5 V(其他電壓選項請聯繫工廠) 限流保護 ...
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NCP700C LDO穩壓器 200 mA 超低壓降 高PSRR 超低噪聲

NCP6360 用於射頻功率放大器的迷你降壓轉換器

0是一款PWM同步降壓DC-DC轉換器,專為提供用於3G / 4G無線系統(移動/智能手機,平板,平板電腦......)的射頻功率放大器(PA)而優化由單節鋰離子電池供電。該器件能夠提供高達800 mA的電流。輸出電壓可通過模擬控制引腳VCON從0.6 V至3.4 V進行監控。模擬控制允許在通信期間動態優化RF功率放大器的效率,例如在漫遊情況下,有利於增加通話時間。此外,在輕負載時,為了優化DC-DC轉換器效率,NCP6360自動進入PFM模式,工作在較慢的開關頻率,對應於PWM模式下的靜態電流降低,器件在開關時工作頻率為6 MHz。同步整流可提高系統效率。 NCP6360採用節省空間的1.5 x 1.0 mm CSP-6封裝。 特性 優勢 輸入電壓2.7V至5.5V 適合單節電池供電應用 使用控制引腳VCON的可調輸出電壓(0.6V至3.4V) 適用於電源跟蹤應用 6 MHz開關頻率 小型電感器和外部元件 PFM / PWM自動模式更改 輕載,中載和重載時的高效率 低靜態電流(典型值30μA) 低功率應用 嵌入式熱保護 防止IC損壞 1.5 x1.0mm²/ 0.5 mm間距CSP封裝 小空間應用程序...
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NCP6360 用於射頻功率放大器的迷你降壓轉換器

ACPM-7800 四頻GSM / EDGE和多模功率放大器

Broadcom ACPM-7800是一款多頻段,多模功率放大器(PA)模塊,支持GMSK和8-PSK調製方案以及UMTS / LTE頻段1, 2 / 25,3,4,34 / 39,5 / 26,8,20,28A(12/17)和28B。 ACPM-7800支持包絡跟蹤(ET)和平均功率跟蹤(APT)操作。輸入和輸出端子內部匹配50歐姆。 有兩個放大器鏈,一個用於支持GSM850 / 900頻段,另一個用於支持DCS1800 / PCS1900頻段。 該模塊採用先進的InGaP HBT技術製造,具有最先進的可靠性,温度穩定性和堅固性,並且具有成本效益,極小和薄5mm的時間; 7mm封裝。 特性 四頻GSM / EDGE 小尺寸(7mm x 5mm) 出色的線性度 與MIPI RFFE兼容 高效率 MIPI RFFE的偏置控制 42針表面貼裝封裝 用於RF輸入和輸出的內部50歐姆匹配網絡 綠色(無鉛且符合RoHS標準)   應用程序 GSM850 / 900,DCS1800 / PCS1900 UMTS / LTE B1 ,C2K BC6 UMTS / LTE B2,LTE B25,C2K BC1 UMTS / LTE B3 UMTS / LTE B4,C2K AWS TD-SCDMA B34和B39,TD-LTE B39 UMTS / LTE B5,LT...
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ACPM-7800 四頻GSM / EDGE和多模功率放大器

ACPM-7788 四頻GSM / EDGE和多模功率放大器

Broadcom ACPM-7788是一款多頻段,多模功率放大器(PA)模塊,支持GMSK和8-PSK調製方案以及UMTS頻段1,2, 3,4,34,39,5,8,13,17,20,28A和28B。  該模塊採用先進的InGaP HBT技術製造,提供最先進的技術可靠性,温度穩定性和堅固性,並且具有成本效益,極小和薄5mm的時間; 7mm封裝。 特性 四頻GSM / EDGE UMTS / LTE:5個高頻帶輸出和6個低頻帶輸出 UMTS B1,B2,B3,B4,B34 / 39,B5(B26),B8,B17,B20,B28A和B28B(B13) APT兼容 高APT的效率 與MIPI RFFE兼容 42引腳表面貼裝封裝 用於RF輸入和輸出的內部50Ω匹配網絡 綠色(無鉛且符合RoHS標準) 應用 GSM850 / 900,DCS1800 / PCS1900 UMTS / LTE B1,C2K BC6 UMTS / LTE B2,LTE B25,C2K BC1 UMTS / LTE B3 UMTS / LTE B4 TD-SCDMA B34,B39,TD-LTE B39 UMTS / LTE B5,LTE B26,C2K BC0(BC10) UMTS / LTE B8 LTE B17,B20,B28A和B28B(B13)...
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ACPM-7788 四頻GSM / EDGE和多模功率放大器

AJAV-6101 WCDMA / HSPA UMTS Band 1 CMOS功率放大器

Broadcom AJAV-6101是一款完整的高性能功率放大器(PA),適用於支持UMTS Band 1的W-CDMA和HSPA無線通信。基於獨特的專利技術架構方面,AJAV-6101集成了用於TX濾波,RF耦合,功率調節,輸入和輸出匹配以及功率控制的電路。   PA由單個供電連接電池並採用標準CMOS工藝實現。   功能 高性能3G PA 集成Tx濾波 - 提供業內最佳噪聲 集成定向耦合器 集成穩壓器和PA偏置 單電池直接連接 高線性效率 低平均電流 高容量CMOS工藝 小型3x3 mm封裝 應用 智能手機,數據卡和3G模塊 平板電腦,上網本和網絡電腦 電子書和無線電子閲讀器...
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AJAV-6101 WCDMA / HSPA UMTS Band 1 CMOS功率放大器

BCM3450 MoCA功率放大器/低噪聲放大器(LNA)

Broadcom® BCM3450是一款高度集成的低功耗MoCA收發器,在單芯片中集成了低噪聲放大器(LNA),功率放大器(PA)和T / R開關。  BCM3450旨在大幅降低MoCA收發器接口的複雜性,取代眾多分立元件和大量印刷電路板(PCB)區域。 BCM3450與Broadcom的Integrated MoCA MAC / PHY / Tuner產品線結合使用。 BCM3450經過優化,可與BCM7420,BCM7410,BCM6829和BCM3320連接。 BCM3450的性能符合MoCA 1.0,1.1對噪聲係數和線性度的要求。  功能 超越家用電纜的優越性環境 具有千兆無源光網絡(GPON)到MoCA網橋,家庭MoCA WAN網絡和寬帶家庭路由器(BHR)的MoCA網絡的單PA / LNA PA功能包括:寬帶具有30 dB增益範圍,低功率1.2W,輸出功率2 dBm(可編程高達5 dBm)和ACPR為50 dBr @ 30 MHz偏移 提供功率放大和連接到同軸MoCA網絡適用於集成MoCA MAC / PHY的Broadcom設備 應用程序 機頂盒 ...
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BCM3450 MoCA功率放大器/低噪聲放大器(LNA)

MGA-425P8 通用FET

MGA-425P8功率放大器專為2-10GHz頻率範圍內的無線應用而設計。 5.25 GHz,3.3V,58mA(典型值) 13.3 dBm線性Pout @ 5%EVB 10.3%PAE @ 13.3dBm Pout 20.3dBm P1dB 16dB增益 1.7dB NF
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MGA-425P8 通用FET